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行业动态Tom's Hardware
美光计划在下一代DRAM中采用晶圆键合和高数值孔径极紫外光刻技术。
原始标题：Micron plans to use wafer bonding and High-NA EUV for next-gen DRAM
美光放弃了 4F2 技术，计划在未来几年内先采用晶圆键合和高数值孔径 EUV 技术，然后再转向 3D NAND 技术。
以下摘要基于来源公开信息，未加入 MemoryTicker 独立分析。
原始标题：Micron plans to use wafer bonding and High-NA EUV for next-gen DRAM
美光放弃了 4F2 技术，计划在未来几年内先采用晶圆键合和高数值孔径 EUV 技术，然后再转向 3D NAND 技术。
以下摘要基于来源公开信息，未加入 MemoryTicker 独立分析。