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美光公布雄心勃勃的DRAM和NAND路线图——3D NAND、高数值孔径EUV、新材料和定制芯片强势回归

原始标题:Micron details ambitious DRAM and NAND roadmap — 3D NAND, High-NA EUV, new materials, and custom silicon makes a comeback

随着 DRAM 和 3D NAND 即将采用全新技术,定制类型的内存即将成为主流,因为 AI 开发人员在当前解决方案中面临局限性。

以下摘要基于来源公开信息,未加入 MemoryTicker 独立分析。

来源:Tom's Hardware