CXMT第五代DRAM平台量产，称每片晶圆毛裸片数增至少50%
长鑫存储宣布G5 DRAM平台和24Gb LPDDR5X进入量产；其50%的每片晶圆增幅是公司按8Gb基准计算的毛裸片数，并非已验证的良率或实际供给。
长鑫存储（CXMT）9月20日宣布，其第五代DRAM工艺平台G5已进入量产，并推出基于该平台的两款24Gb LPDDR5X产品[1]。这是一项公司行动，而不是第三方对良率或出货规模的认证；但它把中国DRAM厂商的竞争从产品展示推进到新的量产平台。
CXMT称，G5的存储阵列有源区半间距为11.95nm、电容深宽比为45:1；按8Gb基准折算，每片晶圆的毛裸片数至少较上一代提高50%[1]。公司还称，两款24Gb LPDDR5X已量产，面向手机和便携式消费电子。若这些规格能稳定转化为合格品，单位晶圆可提供更多可销售容量，并为移动内存提供新的供给来源。
不过，“每片晶圆多50%”不能直接等同于实际供给增加50%。CXMT在说明中明确该数字是毛裸片数，并以8Gb密度归一化[1]；《首尔经济日报》也指出，未经过缺陷筛选的总裸片数不同于实际良率，11.95nm则是某一关键结构的测量，不能与其他厂商的制程命名直接横比[2]。TechNode对发布会的独立报道确认了量产公告和产品规格，但没有提供客户认证、良率或产量数据[3]。
John Wood的判断是，G5最直接的含义是CXMT获得了扩展LPDDR5X产品组合的工艺基础，而非已经改写全球DRAM供需。它对通用DRAM竞争的影响，取决于良率爬升、24Gb产品进入终端设计、客户验证和实际晶圆投片。下一步应关注CXMT能否披露合格品率、产品认证或出货节奏，以及独立测试是否能确认功耗、可靠性和性能；在这些证据出现前，50%的数字应仅被视为公司口径下的毛裸片改进。
相关来源
文中的关键事实、公司说法与分析判断按声明对应到以下来源。