삼성, 2028년까지 DRAM 양산에 High-NA EUV 도입 계획…공정 검증이 증산 변수로

삼성전자와 ASML은 9월 8일 협력 확대를 발표했다. 삼성은 2028년까지 고개구수 극자외선, 즉 High-NA EUV를 미래 DRAM 대량 생산에 도입할 계획이라고 밝혔다[1]. 이는 새 DRAM 생산능력이나 이미 양산이 시작됐다는 뜻은 아니다. 첨단 DRAM 증산의 핵심 변수 하나가 장비 확보에서 마스크·공정 통합·수율 검증으로 옮겨가고 있음을 보여준다.

공동 발표에 따르면 삼성은 High-NA EUV용 12인치 포토마스크 플랫폼 이니셔티브에도 참여한다. 로이터의 당일 보도도 삼성의 목표를 2028년까지 DRAM 양산에 기술을 도입하는 것으로 정리했다[2]. 확인된 것은 협력과 목표 연도다. 발표에는 DRAM 공정 노드, 월 생산능력, 수율, 고객 인증 일정이 없다. 계획을 현재 공급 증가로 바꿔 읽어서는 안 된다.

High-NA 장비를 들였다고 메모리가 출하되는 것도 아니다. SK하이닉스는 2025년 이천 M16 팹에 양산용 EXE:5200B를 반입·구축했다고 밝혔고, 더 높은 개구수가 패턴 정밀도와 집적도를 높일 수 있다고 설명했다[3]. 이는 장비 도입이 차세대 DRAM 개발의 기반이 될 수 있음을 보여주는 회사 주장이지, 삼성의 2028년 제품 수율을 입증하는 자료는 아니다. 경쟁은 누가 장비를 먼저 받느냐에서 장비·마스크·메모리 공정을 누가 안정적으로 연결하느냐로 옮겨가고 있다.

John Wood의 분석은 이 협력이 2026년 현물·계약 DRAM 공급보다 중기 제조 경로의 신뢰도를 먼저 바꾼다는 것이다. High-NA가 첨단 패터닝 층의 공정 복잡도를 낮춘다면 집적도와 비용 경쟁력에 도움이 될 수 있다. 다만 이는 회사 기술 로드맵에 근거한 분석일 뿐 가격·점유율·매출 전망은 아니다. 12인치 마스크, 공정 통합, 수율 인증의 지연은 반대 시나리오다.

삼성의 첫 목표 DRAM 노드, 파일럿 생산과 고객 인증 시점, ASML의 장비 인도 및 생태계 준비도 공개를 지켜볼 필요가 있다. 이 지표가 실제 웨이퍼 산출과 함께 확인돼야 2028년 약속은 장비 협력에서 관측 가능한 DRAM 공급 역량으로 바뀐다.