CXMT, 5세대 DRAM 플랫폼 양산 발표…웨이퍼당 총 다이 수 최소 50% 증가 주장
CXMT는 G5 DRAM 플랫폼과 24Gb LPDDR5X 제품의 양산을 발표했다. 웨이퍼당 50% 증가는 8Gb 기준의 회사 발표 총 다이 수로, 검증된 수율이나 실제 공급량은 아니다.
CXMT는 9월 20일 5세대 DRAM 공정 플랫폼 G5가 양산에 들어갔고, 이를 기반으로 한 24Gb LPDDR5X 제품 두 종도 내놓았다고 발표했다[1]. 이는 수율이나 출하 규모를 제3자가 검증한 결과가 아니라 회사의 발표다. 다만 중국 DRAM 업체의 진전이 제품 공개 단계를 넘어 새로운 양산 플랫폼으로 옮겨갔다는 점은 분명하다.
CXMT는 G5 메모리 어레이의 활성 영역 하프 피치가 11.95nm, 커패시터 종횡비가 45:1이라고 설명했다. 8Gb 밀도 기준으로 환산한 웨이퍼당 총 다이 수는 이전 플랫폼보다 최소 50% 높다고도 주장했다[1]. 두 24Gb LPDDR5X 제품은 스마트폰과 휴대용 소비자 기기용으로 현재 양산 중이라는 것이 회사 설명이다. 이 사양이 안정적으로 양품으로 이어진다면 같은 웨이퍼에서 판매 가능한 용량이 늘고 모바일 메모리의 추가 공급 선택지가 생길 수 있다.
그러나 웨이퍼당 다이가 50% 늘었다는 말이 유효 공급이 50% 늘었다는 뜻은 아니다. CXMT는 이 수치가 총 다이 수이며 8Gb 기준으로 정규화한 것이라고 적시했다[1]. 서울경제는 결함 선별 전의 총 다이 수는 실제 수율과 다르고, 11.95nm도 특정 핵심 구조의 측정값이라 다른 업체의 공정 명칭과 직접 비교하기 어렵다고 지적했다[2]. TechNode는 발표와 사양을 독립적으로 확인했지만 고객 인증, 수율, 생산량은 제시하지 않았다[3].
John Wood의 판단으로 G5의 가장 직접적인 의미는 CXMT가 LPDDR5X 제품군을 넓힐 공정 기반을 확보했다는 데 있다. 아직 글로벌 DRAM 수급을 바꾸었다고 볼 근거는 없다. 범용 DRAM 경쟁에 미칠 영향은 수율 램프, 24Gb 제품의 설계 채택, 고객 검증, 실제 웨이퍼 투입에 달려 있다. 양품 수율·인증·출하 속도 공개와 전력·신뢰성·성능에 대한 독립 시험을 지켜봐야 한다. 그 전까지 50%는 회사가 제시한 총 다이 개선 수치로만 해석해야 한다.
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