마이크론, 4F² DRAM을 로드맵에서 제외…밀도 경쟁은 6F² 연장과 3D 구조로

마이크론은 10월 21일 기술 웨비나에서 4F² DRAM이 현재 제품 로드맵에 없다고 밝혔다. Tom’s Hardware와 TrendForce는 마이크론의 Scott DeBoer가 DRAM의 비트 밀도는 6F²에서 4F²로 표기 면적을 바꾸는 것보다 커패시터 피치와 치수에 더 크게 좌우된다고 설명했다고 보도했다. 이는 마이크론의 기술·경제성 판단이며, 경쟁사의 수율·원가·제품 계획을 독립적으로 검증한 결과는 아니다.

4F²는 통상 6F²보다 약 3분의 1 작은 셀 면적을 겨냥하는 구조로 설명돼 평면 DRAM 미세화의 후보로 여겨진다. 그러나 면적 표기가 곧 판매 가능한 비트 밀도는 아니다. 트랜지스터 위에는 여전히 커패시터가 놓이며, 커패시터 피치가 함께 줄지 않으면 하부 구조 변경이 웨이퍼당 유효 비트 증가로 비례해 이어지지 않을 수 있다. 마이크론은 4F²가 공정 복잡도와 비용을 높이고 미세화 과정에서 물리적 한계에 부딪힌다고 주장한다. 이 주장을 비교할 수 있는 원가 곡선, 시제품 수율, 양산 데이터는 공개되지 않았다.

따라서 이번 발언은 마이크론의 경로 선택이지 4F² 전체에 대한 업계 판정은 아니다. TrendForce는 마이크론이 6F²를 계속 확장하고 3D DRAM을 장기 대안으로 본다고 전했다. IEEE IRDS 자료는 여전히 6F²에서 4F²로의 전환을 DRAM 스케일링 연구 경로 중 하나로 제시한다. 기술 가능성, 제조 경제성, 양산 시점은 업계 전체에서 아직 결론나지 않았다. CXMT는 4F² 서버 DDR5 RDIMM을 추진하겠다고 했지만, 공개된 제품 사양·수율·고객 인증이 없어 원가 우위를 비교할 근거는 없다.

중요한 평가지표는 셀 기하학 하나에서 전체 제조 사슬로 옮겨가고 있다. 커패시터 종횡비, 적층과 본딩, 노광 단계, 결함 관리, 웨이퍼당 양품 비트가 모두 원가를 좌우한다. 6F²를 계속 미세화하면 마이크론은 중간 아키텍처 전환을 피할 수 있다. 반대로 3D 통합, 열 관리, 수율이 기대에 못 미치면 4F²를 건너뛴 선택은 과도기 부담이 될 수 있다. 마이크론의 3D DRAM 일정이나 단위 원가를 비교할 공개 자료는 아직 없다.

앞으로는 마이크론의 노드·본딩·3D DRAM 양산 시점과 원가 지표, 다른 업체의 4F² 실제 다이 면적·수율·제품 사양, 그리고 고객 인증이 DDR 출하로 이어지는지를 봐야 한다. 그 전까지 이 발언은 업계가 4F²를 포기했다는 증거가 아니라 한 회사의 기술경제성 선택으로 해석하는 편이 정확하다.