CXMT、第5世代DRAMプラットフォームを量産化――ウェハー当たり総ダイ数50%以上増と主張
CXMTはG5 DRAMプラットフォームと24Gb LPDDR5X製品の量産を発表した。50%増は8Gb基準の会社公表の総ダイ数で、検証済みの歩留まりや実供給量ではない。
CXMTは9月20日、第5世代DRAMプロセスプラットフォーム「G5」が量産に入ったと発表し、同プラットフォームを使う24Gb LPDDR5X製品2種も披露した[1]。これは歩留まりや出荷量を第三者が検証した結果ではなく、会社自身の発表である。それでも中国DRAMメーカーの進展が製品展示から新しい量産プラットフォームへ移ったことを示す。
CXMTによると、G5のメモリーアレイの有効領域ハーフピッチは11.95nm、キャパシターのアスペクト比は45:1である。8Gb密度基準で正規化したウェハー当たり総ダイ数は、前世代プラットフォームより少なくとも50%多いと同社は主張する[1]。24Gb LPDDR5Xの2製品はスマートフォンと携帯型コンシューマー機器向けにすでに量産中という。これらの仕様が安定して良品へ転換できれば、同じウェハーから販売可能な容量を増やし、モバイルメモリーの供給選択肢を増やせる。
ただし、ウェハー当たりのダイ数が50%増えたことは、有効供給が50%増えたことを意味しない。CXMTはこの値が総ダイ数であり、8Gb基準で正規化したものだと明記している[1]。ソウル経済新聞も、欠陥選別前の総ダイ数は実際の歩留まりと異なり、11.95nmは特定の主要構造の測定値なので、他社のプロセス名と直接比較できないと指摘した[2]。TechNodeは発表と仕様を独立に確認したが、顧客認定、歩留まり、生産量のデータは報じていない[3]。
John Woodの分析では、G5が直ちに示すのはCXMTがLPDDR5X製品群を広げるためのプロセス基盤を得たことであり、世界のDRAM需給を書き換えたということではない。汎用DRAM競争への影響は、歩留まりの立ち上がり、24Gb製品の設計採用、顧客認定、実際のウェハー投入に左右される。良品率、認証、出荷ペースの開示と、消費電力・信頼性・性能を確認する独立試験を見たい。それまでは50%を会社公表の総ダイ改善値としてのみ読むべきだ。
関連出典
記事中の主要な事実、企業の主張、分析判断を以下の根拠に対応付けています。